Microchip perkuat solusi Power Electronics Silicon Carbide

JAKARTA (IndoTelko)  – Permintaan terus meningkat untuk sistem berbasis Silicon Carbide (SiC) untuk memaksimalkan efisiensi dan mengurangi ukuran dan berat, sehingga memungkinkan para engineer untuk menciptakan solusi daya yang inovatif.

Aplikasi yang memanfaatkan teknologi SiC bervariasi mulai dari kendaraan listrik dan stasiun pengisian daya hingga jaringan listrik pintar, serta sistem daya untuk industri dan pesawat terbang. Microchip Technology Inc. (Nasdaq: MCHP) hari ini mengumumkan portofolio yang diperluas dengan modul power SiC yang lebih kecil, ringan, dan efisien.

Dilengkapi dengan portofolio mikrokontroler (microcontrollers – MCU) serta produk analog yang luas, Microchip memenuhi kebutuhan dalam sistem berdaya tinggi, baik untuk kontrol, drive, maupun power stage, dan, dapat mendukung pelanggan dengan solusi sistem secara keseluruhan.

Famili SiC Microchip mencakup modul power berbasis Schottky Barrier Diode (SBD) yang memenuhi kualifikasi komersial dengan varian 700, 1200 dan 1700V. Famili modul power yang baru ini mencakup berbagai topologi termasuk Dual Diode, Full Bridge, Phase Leg, Dual Common Cathode, dan 3-Phase bridge, selain ketersediaan pilihan untuk arus dan package yang berbeda-beda.

Penambahan modul SiC SBD ini menyederhanakan desain dengan cara mengintegrasikan berbagai SiC diode die ke dalam satu modul dengan opsi penggabungan dan pencocokan substrat dan material baseplate - sehingga memaksimalkan efisiensi switching, mengurangi kenaikan suhu, dan memungkinkan footprint sistem yang lebih kecil.

“Aplikasi dan perluasan teknologi SiC adalah penggerak inovasi sistem saat ini dengan Microchip di garis depan inovasi ini, berkolaborasi dengan pengguna di seluruh segmen dan area di seluruh dunia,” kata Associate Vice President untuk Discrete Product Group Microchip Leon Gross.    

Varian portfolio modul SBD 700, 1200 dan 1700V SiC yang fleksibel memanfaatkan generasi terbaru SiC die dari Microchip, yang memaksimalkan keandalan dan ketahanan sistem serta memungkinkan masa guna aplikasi yang stabil dan tahan lama.

Kinerja tinggi avalanche dari produk ini memungkinkan perancang (developer) sistem untuk mengurangi kebutuhan sirkuit snubber, dan stabilitas body diode memungkinkan desain produk untuk menggunakan body diode internal tanpa penurunan kinerja jangka panjang. Melalui pengujian internal Microchip dan pihak ketiga, metrik keandalan kritis telah membuktikan kinerja superior perangkat Microchip bila dibandingkan dengan perangkat SiC buatan lainnya.

Modul power Microchip SiC SBD 700, 1200 dan 1700V telah tersedia untuk pemesanan. Seluruh portofolio SiC didukung oleh berbagai model SPICE SiC, referensi desain SiC driver board dan referensi desain PFC Vienna. Produk Microchip SiC tersedia dalam volume produksi sesuai dengan penawaran dukungan terkait. Berbagai opsi die dan package tersedia untuk MOSFET SiC dan dioda SiC.(wn)